Titre :	Théorie approfondie du transistor bipolaire
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Gérard Rey, Auteur ; Philippe Leturcq, Auteur ; Jean Lagasse, Préfacier, etc.
Editeur :	Paris : Masson
Année de publication :	1972
Importance :	X, 248 p.
Présentation :	ill.
Format :	24 cm
Note générale :	Bibliogr. en fin de chapitres. - Index
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	Appareils é  lectroniques Transistors bipolaires Transistors
Index. décimale :	621.382.33 Transistors bipolaires (utilisant tous les deux les types de porteur de charge avec l'injection du porteur)
Résumé :
Note de contenu :	Au sommaire : 1. Rappels de physique électronique des semiconducteurs 2. Comportement d'une jonction PN hors équilibre thermodynamique 3. Structure du transistor bipolaire 4. Introduction à l'étude du transistor : le transistor idéal 5. Etude du transistor réel en régime statique 6. Le transistor idéal en régime dynamique 7. Le transistor réel en régime dynamique 8. Techniques de mesure des paramètres

Théorie approfondie du transistor bipolaire [texte imprimé] / Gérard Rey, Auteur ; Philippe Leturcq, Auteur ; Jean Lagasse, Préfacier, etc. . - Paris : Masson, 1972 . - X, 248 p. : ill. ; 24 cm.
Bibliogr. en fin de chapitres. - Index
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Appareils é  lectroniques Transistors bipolaires Transistors
Index. décimale :	621.382.33 Transistors bipolaires (utilisant tous les deux les types de porteur de charge avec l'injection du porteur)
Résumé :
Note de contenu :	Au sommaire : 1. Rappels de physique électronique des semiconducteurs 2. Comportement d'une jonction PN hors équilibre thermodynamique 3. Structure du transistor bipolaire 4. Introduction à l'étude du transistor : le transistor idéal 5. Etude du transistor réel en régime statique 6. Le transistor idéal en régime dynamique 7. Le transistor réel en régime dynamique 8. Techniques de mesure des paramètres