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Physique des composants actifs à semiconducteurs / Philippe Leturcq

Public ISBD Titre : Physique des composants actifs à semiconducteurs Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Leturcq, Auteur ; Gérard Rey, Auteur Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 1978 Collection : Dunod université Sous-collection : Ouvrages de spécialité Importance : XI-166 p. Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-04-010385-9 Note générale : Index Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistors  à  effet  de  champ Transistors  bipolaires Semiconducteurs  --  Jonctions Composants  électroniques Semiconducteurs Semiconductors  --  Junctions Junction  transistors Index. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : Ce livre s'adresse principalement aux étudiants de 2e cycle des universités et aux élèves des écoles d'ingénieurs. Après quelques rappels de physique des semiconducteurs et une introduction à la physique des dispositifs proprement dite, sont successivement abordées l'étude des jonctions, diodes et redresseurs (jonction PN, structure PIN, contact Schottky), puis celle des dispositifs à injection (transistor bipolaire, thyristor), et enfin celle des composants à effet de champ (JFET, MOST, dispositifs à transfert de charge). Note de contenu : Sommaire : 1. Rappels de physique électronique des semi conducteurs 2. Introduction à la physique des dispositifs 3. Jonctions, diodes et redresseurs en régime statique 4. Jonction en régime dynamique 5. Elements de technologie ... Physique des composants actifs à semiconducteurs [texte imprimé] / Philippe Leturcq, Auteur ; Gérard Rey, Auteur . - Dunod, 1978 . - XI-166 p. : ill. ; 24 cm. - (Dunod université. Ouvrages de spécialité) . ISBN : 978-2-04-010385-9 Index Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistors  à  effet  de  champ Transistors  bipolaires Semiconducteurs  --  Jonctions Composants  électroniques Semiconducteurs Semiconductors  --  Junctions Junction  transistors Index. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : Ce livre s'adresse principalement aux étudiants de 2e cycle des universités et aux élèves des écoles d'ingénieurs. Après quelques rappels de physique des semiconducteurs et une introduction à la physique des dispositifs proprement dite, sont successivement abordées l'étude des jonctions, diodes et redresseurs (jonction PN, structure PIN, contact Schottky), puis celle des dispositifs à injection (transistor bipolaire, thyristor), et enfin celle des composants à effet de champ (JFET, MOST, dispositifs à transfert de charge). Note de contenu : Sommaire : 1. Rappels de physique électronique des semi conducteurs 2. Introduction à la physique des dispositifs 3. Jonctions, diodes et redresseurs en régime statique 4. Jonction en régime dynamique 5. Elements de technologie ...

Exemplaires

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034211	621.382 LET	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible
034209	621.382 LET	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible
034213	621.382 LET	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible	En bon état
034210	621.382 LET	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible
034212	621.382 LET	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible
025125	621.382 LET	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible
025124	621.382 LET	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible
025121	621.382 LET	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible
025123	621.382 LET	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible
025122	621.382 LET	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible

Théorie approfondie du transistor bipolaire / Gérard Rey

Public ISBD Titre : Théorie approfondie du transistor bipolaire Type de document : texte imprimé Auteurs : Gérard Rey, Auteur ; Philippe Leturcq, Auteur ; Jean Lagasse, Préfacier, etc. Editeur : Paris : Masson Année de publication : 1972 Importance : X, 248 p. Présentation : ill. Format : 24 cm Note générale : Bibliogr. en fin de chapitres. - Index Langues : Français (fre) Mots-clés : Appareils  électroniques Transistors  bipolaires Transistors Index. décimale : 621.382.33 Transistors bipolaires (utilisant tous les deux les types de porteur de charge avec l'injection du porteur) Résumé : Note de contenu : Au sommaire : 1. Rappels de physique électronique des semiconducteurs 2. Comportement d'une jonction PN hors équilibre thermodynamique 3. Structure du transistor bipolaire 4. Introduction à l'étude du transistor : le transistor idéal 5. Etude du transistor réel en régime statique 6. Le transistor idéal en régime dynamique 7. Le transistor réel en régime dynamique 8. Techniques de mesure des paramètres Théorie approfondie du transistor bipolaire [texte imprimé] / Gérard Rey, Auteur ; Philippe Leturcq, Auteur ; Jean Lagasse, Préfacier, etc. . - Paris : Masson, 1972 . - X, 248 p. : ill. ; 24 cm. Bibliogr. en fin de chapitres. - Index Langues : Français (fre) Mots-clés : Appareils  électroniques Transistors  bipolaires Transistors Index. décimale : 621.382.33 Transistors bipolaires (utilisant tous les deux les types de porteur de charge avec l'injection du porteur) Résumé : Note de contenu : Au sommaire : 1. Rappels de physique électronique des semiconducteurs 2. Comportement d'une jonction PN hors équilibre thermodynamique 3. Structure du transistor bipolaire 4. Introduction à l'étude du transistor : le transistor idéal 5. Etude du transistor réel en régime statique 6. Le transistor idéal en régime dynamique 7. Le transistor réel en régime dynamique 8. Techniques de mesure des paramètres

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014214	621.382.33 REY	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible	En bon état
014216	621.382.33 REY	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible	En bon état
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