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Statistical modeling for computer-aided design of MOS VLSI circuits / Christopher Michael

Public ISBD Titre : Statistical modeling for computer-aided design of MOS VLSI circuits Type de document : texte imprimé Auteurs : Christopher Michael, Auteur ; Ismail, Mohammed, Auteur Editeur : Boston : Kluwer academic publishers Année de publication : 1993 Collection : The kluwer international series in engineering and computer science Sous-collection : Analog circuits and signal processsing num. 211 Importance : XVI-190 p. Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-7923-9299-6 Note générale : Bibliogr. [179]-187. Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Semiconducteurs  --  Oxydes  métalliques  --  Conception  assistée  par  ordinateur Circuits  intégrés  à  grande  échelle  --  Oxydes  métalliques Metal  oxide  semiconductors  --  Computer-aided  design  --  Statistical  methods Metal  oxide  semiconductors  --  Mathematical  models Integrated  circuits  --  Very  large  scale  integration  --  Computer-aided  design Integrated  circuits  --  Very  large  scale  integration  --  Mathematical  models Index. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : Describes a statistical circuit simulation and optimization environment for VLSI circuit designers. This text also describes a CAD tool which accurately models and simulates the effect of device and circuit characteristics in both intra- and inter-die process variabiliy on analog/digital circuits. Note de contenu : Contents: * Survey of Statistical Modeling and Simulation Techniques. * Statistical MOS Model. * Experimental Process Characterization for MOS Statistical Model. * CAD Implementation of the SMOS Model. * Statistical CAD of Analog MOS Circuits. * Applications of the SMOS Model to Digital Integrated Circuits. * Conclusion and Future Work. Statistical modeling for computer-aided design of MOS VLSI circuits [texte imprimé] / Christopher Michael, Auteur ; Ismail, Mohammed, Auteur . - Kluwer academic publishers, 1993 . - XVI-190 p. : ill. ; 24 cm. - (The kluwer international series in engineering and computer science. Analog circuits and signal processsing; 211) . ISBN : 978-0-7923-9299-6 Bibliogr. [179]-187. Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Semiconducteurs  --  Oxydes  métalliques  --  Conception  assistée  par  ordinateur Circuits  intégrés  à  grande  échelle  --  Oxydes  métalliques Metal  oxide  semiconductors  --  Computer-aided  design  --  Statistical  methods Metal  oxide  semiconductors  --  Mathematical  models Integrated  circuits  --  Very  large  scale  integration  --  Computer-aided  design Integrated  circuits  --  Very  large  scale  integration  --  Mathematical  models Index. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : Describes a statistical circuit simulation and optimization environment for VLSI circuit designers. This text also describes a CAD tool which accurately models and simulates the effect of device and circuit characteristics in both intra- and inter-die process variabiliy on analog/digital circuits. Note de contenu : Contents: * Survey of Statistical Modeling and Simulation Techniques. * Statistical MOS Model. * Experimental Process Characterization for MOS Statistical Model. * CAD Implementation of the SMOS Model. * Statistical CAD of Analog MOS Circuits. * Applications of the SMOS Model to Digital Integrated Circuits. * Conclusion and Future Work.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Etat_Exemplaire
041533	621.382 MIC	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible	En bon état