| Titre : | Applications des transistors à effet de champ en arseniure de gallium |
| Auteurs : | Soares, R., Directeur de publication ; Juan Obregon, Directeur de publication ; Jacques Graffeuil, Directeur de publication |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Paris : Eyrolles, 1984 |
| Collection : | Collection technique et scientifique des télécommunications, ISSN 0221-2579 |
| Format : | 517 p. / ill. / 25 cm |
| Note générale : | Bibliogr. p. 509-510. Index |
| Langues : | Français |
| Index. décimale : | 621.382 (Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs ) |
| Tags : | Semiconducteurs à l'arséniure de gallium Transistors à effet de champ |
| Résumé : |
Ce livre s'adresse aux praticiens désireux de préciser ou d'étendre leur connaissances qu'aux étudiants en fin d'études qui veulent prendre contact avec les réalités de la technique, ce volume est un excellent exemple de ce que les électroniciens doivent faire pour la formation continue des électroniciens et pour aider les étudiants à devenir des électroniciens. |
| Note de contenu : |
Au sommaire :
- Histoire et perspectives du MESFET GaAs - Le transistor à effet de champ et à barrière schottky su arséniur de gallium... - Amplificateurs bas niveau à transistors à effet de champ - Amplifacateurs MESFET GaAs de puissance - Les distorions des les amplificateurs GaAs MESFET - Les oscillateurs - Circuits intégrés logiques à MESFET GaAs - Conception assisté par ordinateur - Intégration monolithique des amplificateurs ... |
Exemplaires (5)
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité | Etat_Exemplaire |
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| 621.382 APP | Papier | Bibliothèque Centrale | Electronique | Disponible | En bon état |
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