| Titre : | Diffusion net défauts ponctuels dans les semi-conducteurs |
| Auteurs : | B. Boltaks, Auteur ; Sergeï Medvedev, Traducteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Moscou : Éditions Mir, 1977 |
| Format : | 442 p. / ill. / 22 cm. |
| Note générale : |
Traduit du Russe.
Bibliogr. p. [437] |
| Langues : | Français |
| Index. décimale : | 621.382 (Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs ) |
| Tags : | Semi-conducteurs Structure cristalline |
| Résumé : | On trouvera dans cette monographie tout d'abord un exposé des fondements de la théorie de la diffusion et de la formation des défauts dans la semi-conducteurs. Les données expérimentales sur l'autodiffusion et la diffusion des impuretés dans différents matériaux semi-conducteurs (corps simples et composés semi-conducteurs ) sont ensuite présentées d'une manière systématique. Enfin l’auteur en arrive a l'étude de l'influence des défauts de structure ,des champs électriques internes et de l'irraditiation sur les processus de diffusion . Quelque chapitres sont spécialement consacrés a l'étude des fondements théoriques et des résultats expérimentaux concernant la solubilité des impuretés dans les semi-conducteurs et la décomposition des solutions solides. |
| Note de contenu : |
Au sommaire:
1. Les défauts de la structure cristalline des semi-conducteurs. 2. La thermodynamique des défauts ponctuels dans les cristaux. 3. La cinétique des processus de diffusion des impuretés des défauts ponctuels dans les semi-conducteurs. 4. Quelques problèmes particuliers de la théorie de la diffusion dans les semi-conducteurs. 5.Diffusion dans la Germanium. ... |
Exemplaires (1)
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité | Etat_Exemplaire |
|---|---|---|---|---|---|
| 621.382 BOL | Papier | Bibliothèque Centrale | Electronique | Disponible | Consultation sur place |
