Les Inscriptions à la Bibliothèque sont ouvertes en
ligne via le site: https://biblio.enp.edu.dz
Les Réinscriptions se font à :
• La Bibliothèque Annexe pour les étudiants en
2ème Année CPST
• La Bibliothèque Centrale pour les étudiants en Spécialités
A partir de cette page vous pouvez :
Retourner au premier écran avec les recherches... |
Détail de l'auteur
Auteur G. Dumas
Documents disponibles écrits par cet auteur
Faire une suggestion Affiner la recherchePhysique des dispositifs à semiconducteurs, Tome 1. Électronique du silicium homogène / André (1933-) Vapaille
Titre de série : Physique des dispositifs à semiconducteurs, Tome 1 Titre : Électronique du silicium homogène Type de document : texte imprimé Auteurs : André (1933-) Vapaille, Auteur ; G. Dumas, Préfacier, etc. Editeur : Paris : Masson Année de publication : 1970 Collection : Monographies d'électronique Importance : X, 339 p. Présentation : ill. Format : 24 cm Note générale : Bibliogr. en fin de chapitre. Index Langues : Français (fre) Mots-clés : Semiconductors
Semiconducteurs
SiliciumIndex. décimale : 621.315.59 Conducteurs à très haute résistance. Semi-conducteurs Résumé : Note de contenu :
Sommaire :
1. Le cristal de silicium
2. Bandes d'énergie du cristal parfait
3. Niveaux d'énergie introduit par les imperfection du cristal
4. Peuplement des niveaux d'énergie à l'équilibre thermique
5. Phénomènes de transport
6. Effets galvanomagnétique et thermomagnétique
7. Porteurs en excès : création-recombinaison
8. Équation de continuité. Résolution dans quelques cas pratiquesPhysique des dispositifs à semiconducteurs, Tome 1. Électronique du silicium homogène [texte imprimé] / André (1933-) Vapaille, Auteur ; G. Dumas, Préfacier, etc. . - Masson, 1970 . - X, 339 p. : ill. ; 24 cm. - (Monographies d'électronique) .
Bibliogr. en fin de chapitre. Index
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Semiconductors
Semiconducteurs
SiliciumIndex. décimale : 621.315.59 Conducteurs à très haute résistance. Semi-conducteurs Résumé : Note de contenu :
Sommaire :
1. Le cristal de silicium
2. Bandes d'énergie du cristal parfait
3. Niveaux d'énergie introduit par les imperfection du cristal
4. Peuplement des niveaux d'énergie à l'équilibre thermique
5. Phénomènes de transport
6. Effets galvanomagnétique et thermomagnétique
7. Porteurs en excès : création-recombinaison
8. Équation de continuité. Résolution dans quelques cas pratiquesExemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Etat_Exemplaire 009679 621.315.59 VAP Papier Bibliothèque Annexe Electronique Disponible En bon état 009681 621.315.59 VAP Papier Bibliothèque Annexe Electronique Disponible En bon état 012277 621.315.59 VAP Papier Bibliothèque Centrale Electronique Disponible Consultation sur place