| Titre de série : |
Physique des dispositifs à semiconducteurs, Tome 1 |
| Titre : |
Électronique du silicium homogène |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
André (1933-) Vapaille, Auteur ; G. Dumas, Préfacier, etc. |
| Editeur : |
Paris : Masson |
| Année de publication : |
1970 |
| Collection : |
Monographies d'électronique |
| Importance : |
X, 339 p. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
24 cm |
| Note générale : |
Bibliogr. en fin de chapitre. Index |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Semiconductors
Semiconducteurs
Silicium |
| Index. décimale : |
621.315.59 Conducteurs à très haute résistance. Semi-conducteurs |
| Résumé : |
|
| Note de contenu : |
Sommaire :
1. Le cristal de silicium
2. Bandes d'énergie du cristal parfait
3. Niveaux d'énergie introduit par les imperfection du cristal
4. Peuplement des niveaux d'énergie à l'équilibre thermique
5. Phénomènes de transport
6. Effets galvanomagnétique et thermomagnétique
7. Porteurs en excès : création-recombinaison
8. Équation de continuité. Résolution dans quelques cas pratiques |
Physique des dispositifs à semiconducteurs, Tome 1. Électronique du silicium homogène [texte imprimé] / André (1933-) Vapaille, Auteur ; G. Dumas, Préfacier, etc. . - Paris : Masson, 1970 . - X, 339 p. : ill. ; 24 cm. - ( Monographies d'électronique) . Bibliogr. en fin de chapitre. Index Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
Semiconductors
Semiconducteurs
Silicium |
| Index. décimale : |
621.315.59 Conducteurs à très haute résistance. Semi-conducteurs |
| Résumé : |
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| Note de contenu : |
Sommaire :
1. Le cristal de silicium
2. Bandes d'énergie du cristal parfait
3. Niveaux d'énergie introduit par les imperfection du cristal
4. Peuplement des niveaux d'énergie à l'équilibre thermique
5. Phénomènes de transport
6. Effets galvanomagnétique et thermomagnétique
7. Porteurs en excès : création-recombinaison
8. Équation de continuité. Résolution dans quelques cas pratiques |
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