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Applications des transistors à effet de champ en arseniure de gallium / Soares, R.

Public ISBD Titre : Applications des transistors à effet de champ en arseniure de gallium Type de document : texte imprimé Auteurs : Soares, R., Directeur de publication, rédacteur en chef ; Juan Obregon, Directeur de publication, rédacteur en chef ; Jacques Graffeuil, Directeur de publication, rédacteur en chef Editeur : Paris : Eyrolles Année de publication : 1984 Collection : Collection technique et scientifique des télécommunications, ISSN 0221-2579 Importance : 517 p. Présentation : ill. Format : 25 cm Note générale : Bibliogr. p. 509-510. Index Langues : Français (fre) Mots-clés : Semiconducteurs  à  l'arséniure  de  gallium Transistors  à  effet  de  champ Index. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : Ce livre s'adresse aux praticiens désireux de préciser ou d'étendre leur connaissances qu'aux étudiants en fin d'études qui veulent prendre contact avec les réalités de la technique, ce volume est un excellent exemple de ce que les électroniciens doivent faire pour la formation continue des électroniciens et pour aider les étudiants à devenir des électroniciens. Note de contenu : Au sommaire : - Histoire et perspectives du MESFET GaAs - Le transistor à effet de champ et à barrière schottky su arséniur de gallium... - Amplificateurs bas niveau à transistors à effet de champ - Amplifacateurs MESFET GaAs de puissance - Les distorions des les amplificateurs GaAs MESFET - Les oscillateurs - Circuits intégrés logiques à MESFET GaAs - Conception assisté par ordinateur - Intégration monolithique des amplificateurs ... Applications des transistors à effet de champ en arseniure de gallium [texte imprimé] / Soares, R., Directeur de publication, rédacteur en chef ; Juan Obregon, Directeur de publication, rédacteur en chef ; Jacques Graffeuil, Directeur de publication, rédacteur en chef . - Eyrolles, 1984 . - 517 p. : ill. ; 25 cm. - (Collection technique et scientifique des télécommunications, ISSN 0221-2579) . Bibliogr. p. 509-510. Index Langues : Français (fre) Mots-clés : Semiconducteurs  à  l'arséniure  de  gallium Transistors  à  effet  de  champ Index. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : Ce livre s'adresse aux praticiens désireux de préciser ou d'étendre leur connaissances qu'aux étudiants en fin d'études qui veulent prendre contact avec les réalités de la technique, ce volume est un excellent exemple de ce que les électroniciens doivent faire pour la formation continue des électroniciens et pour aider les étudiants à devenir des électroniciens. Note de contenu : Au sommaire : - Histoire et perspectives du MESFET GaAs - Le transistor à effet de champ et à barrière schottky su arséniur de gallium... - Amplificateurs bas niveau à transistors à effet de champ - Amplifacateurs MESFET GaAs de puissance - Les distorions des les amplificateurs GaAs MESFET - Les oscillateurs - Circuits intégrés logiques à MESFET GaAs - Conception assisté par ordinateur - Intégration monolithique des amplificateurs ...

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Etat_Exemplaire
029232	621.382 APP	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible	En bon état
029228	621.382 APP	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible	En bon état
029231	621.382 APP	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible	En bon état
029229	621.382 APP	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible	En bon état
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