Détail de l'auteur
| Auteur B. Boltaks | 
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Titre : Diffusion net défauts ponctuels dans les semi-conducteurs Type de document : texte imprimé Auteurs : B. Boltaks, Auteur ; Sergeï Medvedev, Traducteur Editeur : Moscou : Éditions Mir Année de publication : 1977 Importance : 442 p. Présentation : ill. Format : 22 cm. Note générale : Traduit du Russe. 
Bibliogr. p. [437]Langues : Français (fre) Mots-clés : Semi-conducteurs 
Structure cristallineIndex. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : On trouvera dans cette monographie tout d'abord un exposé des fondements de la théorie de la diffusion et de la formation des défauts dans la semi-conducteurs. Les données expérimentales sur l'autodiffusion et la diffusion des impuretés dans différents matériaux semi-conducteurs (corps simples et composés semi-conducteurs ) sont ensuite présentées d'une manière systématique. Enfin l’auteur en arrive a l'étude de l'influence des défauts de structure ,des champs électriques internes et de l'irraditiation sur les processus de diffusion . Quelque chapitres sont spécialement consacrés a l'étude des fondements théoriques et des résultats expérimentaux concernant la solubilité des impuretés dans les semi-conducteurs et la décomposition des solutions solides. Note de contenu : Au sommaire: 
1. Les défauts de la structure cristalline des semi-conducteurs.
2. La thermodynamique des défauts ponctuels dans les cristaux.
3. La cinétique des processus de diffusion des impuretés des défauts ponctuels dans les semi-conducteurs.
4. Quelques problèmes particuliers de la théorie de la diffusion dans les semi-conducteurs.
5.Diffusion dans la Germanium.
...Diffusion net défauts ponctuels dans les semi-conducteurs [texte imprimé] / B. Boltaks, Auteur ; Sergeï Medvedev, Traducteur . - Moscou : Éditions Mir, 1977 . - 442 p. : ill. ; 22 cm.
Traduit du Russe.
Bibliogr. p. [437]
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Semi-conducteurs 
Structure cristallineIndex. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : On trouvera dans cette monographie tout d'abord un exposé des fondements de la théorie de la diffusion et de la formation des défauts dans la semi-conducteurs. Les données expérimentales sur l'autodiffusion et la diffusion des impuretés dans différents matériaux semi-conducteurs (corps simples et composés semi-conducteurs ) sont ensuite présentées d'une manière systématique. Enfin l’auteur en arrive a l'étude de l'influence des défauts de structure ,des champs électriques internes et de l'irraditiation sur les processus de diffusion . Quelque chapitres sont spécialement consacrés a l'étude des fondements théoriques et des résultats expérimentaux concernant la solubilité des impuretés dans les semi-conducteurs et la décomposition des solutions solides. Note de contenu : Au sommaire: 
1. Les défauts de la structure cristalline des semi-conducteurs.
2. La thermodynamique des défauts ponctuels dans les cristaux.
3. La cinétique des processus de diffusion des impuretés des défauts ponctuels dans les semi-conducteurs.
4. Quelques problèmes particuliers de la théorie de la diffusion dans les semi-conducteurs.
5.Diffusion dans la Germanium.
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