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Auteur Yasuhisa Omura
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Faire une suggestion Affiner la rechercheSOI lubistors / Yasuhisa Omura
Titre : SOI lubistors : lateral, unidirectional, bipolar-type insulated-gate transistors Type de document : texte imprimé Auteurs : Yasuhisa Omura, Auteur Editeur : New York : Wiley Année de publication : 2013 Autre Editeur : New York : IEEE press Importance : XVIII, 299 p. Présentation : ill. Format : 25 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-1-11-848790-7 Note générale : SOI = Silicon-On-Insulator
Bibliogr. - IndexLangues : Anglais (eng) Mots-clés : Insulated gate bipolar transistors
Silicon-on-insulator technologyIndex. décimale : 621.382.33 Transistors bipolaires (utilisant tous les deux les types de porteur de charge avec l'injection du porteur) Résumé :
The lubistor (lateral, unidirectional, bipolar - type insulated - gate transistor) is a transistor - like device invented by the author in 1982. The main application of the device is as an electrostatic discharge protection device in SOI (Silicon-On-Insulator) circuits used in IBM and AMD microprocessors. SOI structures are believed to have excellent potential in high-temperature electronics. No comprehensive description of the physics and possible applications of the lubistor can be found in a single sourcr even though the lubistor is already being uded in SOI LSI. The books provides, for the first time, a comprehensive understanding of the physics of the lubistor.Note de contenu : Summary :
1. Brief review and modern applications of BN-junction devices
2. Physics and modeling of soi lubistors- thick - film devices
3. Physics and modeling of soi libistors - thin - film devices
4. Circuit applications
5. Optical device applications of lubistors
...SOI lubistors : lateral, unidirectional, bipolar-type insulated-gate transistors [texte imprimé] / Yasuhisa Omura, Auteur . - New York : Wiley : New York : IEEE press, 2013 . - XVIII, 299 p. : ill. ; 25 cm.
ISBN : 978-1-11-848790-7
SOI = Silicon-On-Insulator
Bibliogr. - Index
Langues : Anglais (eng)
Mots-clés : Insulated gate bipolar transistors
Silicon-on-insulator technologyIndex. décimale : 621.382.33 Transistors bipolaires (utilisant tous les deux les types de porteur de charge avec l'injection du porteur) Résumé :
The lubistor (lateral, unidirectional, bipolar - type insulated - gate transistor) is a transistor - like device invented by the author in 1982. The main application of the device is as an electrostatic discharge protection device in SOI (Silicon-On-Insulator) circuits used in IBM and AMD microprocessors. SOI structures are believed to have excellent potential in high-temperature electronics. No comprehensive description of the physics and possible applications of the lubistor can be found in a single sourcr even though the lubistor is already being uded in SOI LSI. The books provides, for the first time, a comprehensive understanding of the physics of the lubistor.Note de contenu : Summary :
1. Brief review and modern applications of BN-junction devices
2. Physics and modeling of soi lubistors- thick - film devices
3. Physics and modeling of soi libistors - thin - film devices
4. Circuit applications
5. Optical device applications of lubistors
...Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Etat_Exemplaire 055800 621.382.33 OMU Papier Bibliothèque Centrale Electronique Disponible Consultation sur place 055801 621.382.33 OMU Papier Bibliothèque Centrale Electronique Disponible En bon état