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Adaptive techniques for mixed signal system on chip / Fayed, Ayman

Public ISBD Titre : Adaptive techniques for mixed signal system on chip Type de document : document électronique Auteurs : Fayed, Ayman, Auteur ; Ismail, Mohammed, Auteur Editeur : Boston : Kluwer academic publishers Année de publication : 2006 Collection : The kluwer international series in engineering and computer science ISBN/ISSN/EAN : 978-0-387-32155-4 Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Télécommunication  Electronics  Engineering  Design Index. décimale : 621.39 Télécommunications. Télégraphie. Téléphonie. Radiocommunication. Technologie et équipement vidéo. Télécontrôle. Résumé : well as voltage, current, and time references with an emphasis on the circuit design of specific blocks such as voltage-controlled transconductors, offset comparators, and a novel technique for accurate implementation of on chip resistors. While the first part of the book addresses adaptive techniques at the circuit and block levels, the second part discusses adaptive equalization architectures employed to minimize the impact of ISI (Intersymbol Interference) on the quality of received data in high-speed wire line transceivers. It presents the implementation of a 125Mbps transceiver operating over a variable length of Category 5 (CAT-5) Ethernet cable as an example of adaptive equalizers. Adaptive techniques for mixed signal system on chip [document électronique] / Fayed, Ayman, Auteur ; Ismail, Mohammed, Auteur . - Kluwer academic publishers, 2006. - (The kluwer international series in engineering and computer science) . ISBN : 978-0-387-32155-4 Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Télécommunication  Electronics  Engineering  Design Index. décimale : 621.39 Télécommunications. Télégraphie. Téléphonie. Radiocommunication. Technologie et équipement vidéo. Télécontrôle. Résumé : well as voltage, current, and time references with an emphasis on the circuit design of specific blocks such as voltage-controlled transconductors, offset comparators, and a novel technique for accurate implementation of on chip resistors. While the first part of the book addresses adaptive techniques at the circuit and block levels, the second part discusses adaptive equalization architectures employed to minimize the impact of ISI (Intersymbol Interference) on the quality of received data in high-speed wire line transceivers. It presents the implementation of a 125Mbps transceiver operating over a variable length of Category 5 (CAT-5) Ethernet cable as an example of adaptive equalizers.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Etat_Exemplaire
E00140	621.39 FAY	Ressources électroniques	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible	Consultation sur place
E00139	621.39 FAY	Ressources électroniques	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible

Statistical modeling for computer-aided design of MOS VLSI circuits / Christopher Michael

Public ISBD Titre : Statistical modeling for computer-aided design of MOS VLSI circuits Type de document : texte imprimé Auteurs : Christopher Michael, Auteur ; Ismail, Mohammed, Auteur Editeur : Boston : Kluwer academic publishers Année de publication : 1993 Collection : The kluwer international series in engineering and computer science Sous-collection : Analog circuits and signal processsing num. 211 Importance : XVI-190 p. Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-7923-9299-6 Note générale : Bibliogr. [179]-187. Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Semiconducteurs  --  Oxydes  métalliques  --  Conception  assistée  par  ordinateur Circuits  intégrés  à  grande  échelle  --  Oxydes  métalliques Metal  oxide  semiconductors  --  Computer-aided  design  --  Statistical  methods Metal  oxide  semiconductors  --  Mathematical  models Integrated  circuits  --  Very  large  scale  integration  --  Computer-aided  design Integrated  circuits  --  Very  large  scale  integration  --  Mathematical  models Index. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : Describes a statistical circuit simulation and optimization environment for VLSI circuit designers. This text also describes a CAD tool which accurately models and simulates the effect of device and circuit characteristics in both intra- and inter-die process variabiliy on analog/digital circuits. Note de contenu : Contents: * Survey of Statistical Modeling and Simulation Techniques. * Statistical MOS Model. * Experimental Process Characterization for MOS Statistical Model. * CAD Implementation of the SMOS Model. * Statistical CAD of Analog MOS Circuits. * Applications of the SMOS Model to Digital Integrated Circuits. * Conclusion and Future Work. Statistical modeling for computer-aided design of MOS VLSI circuits [texte imprimé] / Christopher Michael, Auteur ; Ismail, Mohammed, Auteur . - Kluwer academic publishers, 1993 . - XVI-190 p. : ill. ; 24 cm. - (The kluwer international series in engineering and computer science. Analog circuits and signal processsing; 211) . ISBN : 978-0-7923-9299-6 Bibliogr. [179]-187. Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Semiconducteurs  --  Oxydes  métalliques  --  Conception  assistée  par  ordinateur Circuits  intégrés  à  grande  échelle  --  Oxydes  métalliques Metal  oxide  semiconductors  --  Computer-aided  design  --  Statistical  methods Metal  oxide  semiconductors  --  Mathematical  models Integrated  circuits  --  Very  large  scale  integration  --  Computer-aided  design Integrated  circuits  --  Very  large  scale  integration  --  Mathematical  models Index. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : Describes a statistical circuit simulation and optimization environment for VLSI circuit designers. This text also describes a CAD tool which accurately models and simulates the effect of device and circuit characteristics in both intra- and inter-die process variabiliy on analog/digital circuits. Note de contenu : Contents: * Survey of Statistical Modeling and Simulation Techniques. * Statistical MOS Model. * Experimental Process Characterization for MOS Statistical Model. * CAD Implementation of the SMOS Model. * Statistical CAD of Analog MOS Circuits. * Applications of the SMOS Model to Digital Integrated Circuits. * Conclusion and Future Work.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Etat_Exemplaire
041533	621.382 MIC	Papier	Bibliothèque Centrale	Electronique	Disponible	En bon état