Silicon processing for the vlsi era, vol 1. Process technology / Wolf, Stanley ; Tauber , Richard N (2000)

Public ISBD Titre de série : Silicon processing for the vlsi era, vol 1 Titre : Process technology Type de document : texte imprimé Auteurs : Wolf, Stanley, Auteur ; Tauber , Richard N, Auteur Mention d'édition : 2 éd Editeur : Lattice Press Année de publication : 2000 Importance : XXXVI-890 P Présentation : ill. Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-9616721-6-4 Note générale : Bibliogr. Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Electrotechnique circuit intégrés intégration silicon vlsi Index. décimale : 621.3.049.77 Micro-électronique.Circuits intégrés. Note de contenu : Contents *Silicon: single-crystal growth & wafer preparation *Crystalline defects and gettering *Vacuum technology for ulsi applications *Basics of thin films *Cleaning technology for ulsi *Chemical vapor deposition of amorphous and polycrystalline films *Silicon epitaxial film growth *Thermal oxidation of silicon *Diffusion in silicon *Ion implantation for ulsi *Aluminum thin films and physical vapor deposition in ulsi *Lithography I: optical photoresists - material properties and process technology *Lithography II: optical aligners and photomasks *Dry etching for ulsi *Multilevel metallization for ulsi *Cmos process integration *Assembly and packaging for ulsi appendices Silicon processing for the vlsi era, vol 1. Process technology [texte imprimé] / Wolf, Stanley, Auteur ; Tauber , Richard N, Auteur  . -  2 éd . - Lattice Press, 2000 . - XXXVI-890 P : ill. ; 25 cm. ISBN : 978-0-9616721-6-4 Bibliogr. Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Electrotechnique circuit intégrés intégration silicon vlsi Index. décimale : 621.3.049.77 Micro-électronique.Circuits intégrés. Note de contenu : Contents *Silicon: single-crystal growth & wafer preparation *Crystalline defects and gettering *Vacuum technology for ulsi applications *Basics of thin films *Cleaning technology for ulsi *Chemical vapor deposition of amorphous and polycrystalline films *Silicon epitaxial film growth *Thermal oxidation of silicon *Diffusion in silicon *Ion implantation for ulsi *Aluminum thin films and physical vapor deposition in ulsi *Lithography I: optical photoresists - material properties and process technology *Lithography II: optical aligners and photomasks *Dry etching for ulsi *Multilevel metallization for ulsi *Cmos process integration *Assembly and packaging for ulsi appendices

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Silicon processing for the vlsi era, vol. 2. Process integration / Wolf, Stanley (1990)

Public ISBD Titre de série : Silicon processing for the vlsi era, vol. 2 Titre : Process integration Type de document : texte imprimé Auteurs : Wolf, Stanley, Auteur Editeur : Lattice Press Année de publication : 1990 Importance : xxxi-753 p. Présentation : ill. Format : 25 cm Note générale : Bibliogr.-Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Microélectronique Circuits intégrés à très grande échelle Silicium Index. décimale : 621.3.049.77 Micro-électronique.Circuits intégrés. Note de contenu : Sommair *Process Integration for VLSI and ULSI *Isolation Technologies for Integrated Circuits *Contact technology and lacal interconnects for VLSI *Multilevel interconnect technology for VLSI and ULSI *Mos devices and nmos process integration *CMOS process integration *Bipolar and BICMOS process integration *Semiconductor memory process inegration *Process simulation Silicon processing for the vlsi era, vol. 2. Process integration [texte imprimé] / Wolf, Stanley, Auteur . - Lattice Press, 1990 . - xxxi-753 p. : ill. ; 25 cm. Bibliogr.-Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Microélectronique Circuits intégrés à très grande échelle Silicium Index. décimale : 621.3.049.77 Micro-électronique.Circuits intégrés. Note de contenu : Sommair *Process Integration for VLSI and ULSI *Isolation Technologies for Integrated Circuits *Contact technology and lacal interconnects for VLSI *Multilevel interconnect technology for VLSI and ULSI *Mos devices and nmos process integration *CMOS process integration *Bipolar and BICMOS process integration *Semiconductor memory process inegration *Process simulation

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Silicon processing for the vlsi era, vol 3. The submicron mosfet / Wolf, Stanley (1995)

Public ISBD Titre de série : Silicon processing for the vlsi era, vol 3 Titre : The submicron mosfet Type de document : texte imprimé Auteurs : Wolf, Stanley, Auteur Editeur : Lattice Press Année de publication : 1995 Importance : XXII-722 p. Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-9616721-5-7 Note générale : Bibliogr. Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Electrotechnique silicium intégration circuits intégrés Index. décimale : 621.3.049.77 Micro-électronique.Circuits intégrés. Résumé : Volume 3: The Submicron MOSFET. Treats the topics of submicron MOSFET device physics and the relationship between such device physics and submicron MOSFET fabrication. DLC: Integrated circuits -Very large scale. Note de contenu : Contents *Role of process & device models in microelectronics technology *Numerical methods for solving the partial differential equations which model submicron devices and processes *Basic MOS physics & MOS capacitors *Long-channel MOSFETs *The submicron MOSFET *Isolation Structures in CMOS *Thin gate oxides: growth & reliability *Well formation in CMOS *Hot-carrier resistant processing & device structures ISBN 13 : 978-0961672157 Silicon processing for the vlsi era, vol 3. The submicron mosfet [texte imprimé] / Wolf, Stanley, Auteur . - Lattice Press, 1995 . - XXII-722 p. : ill. ; 24 cm. ISBN : 978-0-9616721-5-7 Bibliogr. Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Electrotechnique silicium intégration circuits intégrés Index. décimale : 621.3.049.77 Micro-électronique.Circuits intégrés. Résumé : Volume 3: The Submicron MOSFET. Treats the topics of submicron MOSFET device physics and the relationship between such device physics and submicron MOSFET fabrication. DLC: Integrated circuits -Very large scale. Note de contenu : Contents *Role of process & device models in microelectronics technology *Numerical methods for solving the partial differential equations which model submicron devices and processes *Basic MOS physics & MOS capacitors *Long-channel MOSFETs *The submicron MOSFET *Isolation Structures in CMOS *Thin gate oxides: growth & reliability *Well formation in CMOS *Hot-carrier resistant processing & device structures ISBN 13 : 978-0961672157

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