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Titre : Compact MOSFET models for VLSI design Type de document : texte imprimé Auteurs : A.B. Bhattacharyya, Auteur Editeur : New York : John Wiley & Sons Année de publication : 2009 Importance : XXIV, 432 p. Présentation : ill. Format : 26 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-470-82342-2 Note générale : Références bibliogr. en fin de chapitres. - Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Integrated circuits -- Very large scale integration -- Design and construction
Metal oxide semiconductor field-effect transistors -- Design and construction
Transistors MOSFET
MOS (électronique)Index. décimale : 621.382.3 Transistors Résumé : Practicing designers, students, and educators in the semiconductor field face an ever expanding portfolio of MOSFET models. In Compact MOSFET Models for VLSI Design , A.B. Bhattacharyya presents a unified perspective on the topic, allowing the practitioner to view and interpret device phenomena concurrently using different modeling strategies. Readers will learn to link device physics with model parameters, helping to close the gap between device understanding and its use for optimal circuit performance. Bhattacharyya also lays bare the core physical concepts that will drive the future of VLSI development, allowing readers to stay ahead of the curve, despite the relentless evolution of new models.
* Adopts a unified approach to guide students through the confusing array of MOSFET models
* Links MOS physics to device models to prepare practitioners for real-world design activities
* Helps fabless designers bridge the gap with off-site foundries
* Features rich coverage of:
- quantum mechanical related phenomena
- Si-Ge strained-Silicon substrate
- non-classical structures such as Double Gate MOSFETs
* Presents topics that will prepare readers for long-term developments in the field
* Includes solutions in every chapter
* Can be tailored for use among students and professionals of many levels
* Comes with MATLAB code downloads for independent practice and advanced study
This book is essential for students specializing in VLSI Design and indispensible for design professionals in the microelectronics and VLSI industries. Written to serve a number of experience levels, it can be used either as a course textbook or practitioner’s reference.Note de contenu : In summary :
1. Semiconductor physics review for MOSFET modeling.
2. Ideal metal oxide semiconductor capacitor.
3. Non-ideal and Non-classical MOS capacitors.
4. Long channel MOS transistor.
5. The scaled MOS transistor.
6. Quasistatic, non-quasistatic, and noise models.
7. Quantum phenomena in MOS transistors.
8. Non-classical MOSFET structures.Compact MOSFET models for VLSI design [texte imprimé] / A.B. Bhattacharyya, Auteur . - New York : John Wiley & Sons, 2009 . - XXIV, 432 p. : ill. ; 26 cm.
ISBN : 978-0-470-82342-2
Références bibliogr. en fin de chapitres. - Index
Langues : Anglais (eng)
Mots-clés : Integrated circuits -- Very large scale integration -- Design and construction
Metal oxide semiconductor field-effect transistors -- Design and construction
Transistors MOSFET
MOS (électronique)Index. décimale : 621.382.3 Transistors Résumé : Practicing designers, students, and educators in the semiconductor field face an ever expanding portfolio of MOSFET models. In Compact MOSFET Models for VLSI Design , A.B. Bhattacharyya presents a unified perspective on the topic, allowing the practitioner to view and interpret device phenomena concurrently using different modeling strategies. Readers will learn to link device physics with model parameters, helping to close the gap between device understanding and its use for optimal circuit performance. Bhattacharyya also lays bare the core physical concepts that will drive the future of VLSI development, allowing readers to stay ahead of the curve, despite the relentless evolution of new models.
* Adopts a unified approach to guide students through the confusing array of MOSFET models
* Links MOS physics to device models to prepare practitioners for real-world design activities
* Helps fabless designers bridge the gap with off-site foundries
* Features rich coverage of:
- quantum mechanical related phenomena
- Si-Ge strained-Silicon substrate
- non-classical structures such as Double Gate MOSFETs
* Presents topics that will prepare readers for long-term developments in the field
* Includes solutions in every chapter
* Can be tailored for use among students and professionals of many levels
* Comes with MATLAB code downloads for independent practice and advanced study
This book is essential for students specializing in VLSI Design and indispensible for design professionals in the microelectronics and VLSI industries. Written to serve a number of experience levels, it can be used either as a course textbook or practitioner’s reference.Note de contenu : In summary :
1. Semiconductor physics review for MOSFET modeling.
2. Ideal metal oxide semiconductor capacitor.
3. Non-ideal and Non-classical MOS capacitors.
4. Long channel MOS transistor.
5. The scaled MOS transistor.
6. Quasistatic, non-quasistatic, and noise models.
7. Quantum phenomena in MOS transistors.
8. Non-classical MOSFET structures.Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Etat_Exemplaire 053773 621.382.3 BHA Papier Bibliothèque Centrale Electronique Disponible Consultation sur place
Titre : Composants à semiconducteurs : de la physique du solide aux transistors Type de document : texte imprimé Auteurs : Olivier Bonnaud, Auteur Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2006 Collection : Technosup Importance : VIII, 241 p. Présentation : ill. Format : 26 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-2804-2 Langues : Français (fre) Mots-clés : Semiconducteurs -- Manuels d'enseignement supérieur
Microélectronique
Physique de l'état solide
TransistorsIndex. décimale : 621.382.3 Transistors Résumé : L'ouvrage : niveau C (Master, Écoles d'ingénieurs)
Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques.
Dans une première partie orientée physique du solide et focalisée sur les matériaux semi-conducteurs, il expose les mécanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientée dispositifs, il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et à effet de champ à jonction...
L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme.
De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage.Note de contenu : Au sommaire:
1. Éléments de cristallographie.
2. Électrons dans un cristal.
3. Notions de statistique. Système de particules.
4. Introduction à la physique du semiconducteur.
5. Phénomène de transport.
6. Jonction PN - Diodes à jonction.
7. Le transistor bipolaire.
8. Le transistor à effet de champ à grille isolée. Transistor MOS.
9. Le transistor à effet de champ à jonction : transistor JFET.
10. La diode métal-semiconducteur : diode Schottky.En ligne : http://books.google.dz/books?id=SQ7XGAAACAAJ&source=gbs_ViewAPI&redir_esc=y Composants à semiconducteurs : de la physique du solide aux transistors [texte imprimé] / Olivier Bonnaud, Auteur . - Paris : Ellipses, 2006 . - VIII, 241 p. : ill. ; 26 cm. - (Technosup) .
ISBN : 978-2-7298-2804-2
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Semiconducteurs -- Manuels d'enseignement supérieur
Microélectronique
Physique de l'état solide
TransistorsIndex. décimale : 621.382.3 Transistors Résumé : L'ouvrage : niveau C (Master, Écoles d'ingénieurs)
Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques.
Dans une première partie orientée physique du solide et focalisée sur les matériaux semi-conducteurs, il expose les mécanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientée dispositifs, il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et à effet de champ à jonction...
L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme.
De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage.Note de contenu : Au sommaire:
1. Éléments de cristallographie.
2. Électrons dans un cristal.
3. Notions de statistique. Système de particules.
4. Introduction à la physique du semiconducteur.
5. Phénomène de transport.
6. Jonction PN - Diodes à jonction.
7. Le transistor bipolaire.
8. Le transistor à effet de champ à grille isolée. Transistor MOS.
9. Le transistor à effet de champ à jonction : transistor JFET.
10. La diode métal-semiconducteur : diode Schottky.En ligne : http://books.google.dz/books?id=SQ7XGAAACAAJ&source=gbs_ViewAPI&redir_esc=y Réservation
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Titre : Nanoelectronics and nanosystems : from transistors to molecular and quantum dvices Type de document : texte imprimé Auteurs : Kar Goser, Auteur ; Peter Glösekötter, Auteur ; Jan Dienstuhl, Auteur Editeur : Berlin ; London ; Cham : Springer Année de publication : 2004 Importance : XII-281 p. Présentation : ill. Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-3-540-40443-9 Note générale : Bibliogr. p.[273]-276.-Index Langues : Français (fre) Mots-clés : Nanotechnologie
Microélectronique
Électronique moléculaire
Molecular electronics
NanotechnologyIndex. décimale : 621.382.3 Transistors Résumé : Provides an introduction for prospective and practicing electronic engineers, computer scientists and physicists. This work offers an overview that covers various aspects from underlying technologies to circuits and systems. Note de contenu : Contents
*On the way to nanoelectronics
*Potentials of silicon technology
*Basics of nanoelectronics
*Biology-Inspired concepts
*Biochemical and quantum-mechanical computers
*Parallel architectures for nanosystems
*Softcomputing and nanoelectronics
*Complex integrated systems and their properties
...Nanoelectronics and nanosystems : from transistors to molecular and quantum dvices [texte imprimé] / Kar Goser, Auteur ; Peter Glösekötter, Auteur ; Jan Dienstuhl, Auteur . - Berlin ; London ; Cham : Springer, 2004 . - XII-281 p. : ill. ; 24 cm.
ISBN : 978-3-540-40443-9
Bibliogr. p.[273]-276.-Index
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Nanotechnologie
Microélectronique
Électronique moléculaire
Molecular electronics
NanotechnologyIndex. décimale : 621.382.3 Transistors Résumé : Provides an introduction for prospective and practicing electronic engineers, computer scientists and physicists. This work offers an overview that covers various aspects from underlying technologies to circuits and systems. Note de contenu : Contents
*On the way to nanoelectronics
*Potentials of silicon technology
*Basics of nanoelectronics
*Biology-Inspired concepts
*Biochemical and quantum-mechanical computers
*Parallel architectures for nanosystems
*Softcomputing and nanoelectronics
*Complex integrated systems and their properties
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Titre : Transistor electronics Type de document : texte imprimé Auteurs : Arthur W. Lo, Auteur ; Richard O. Endres, Auteur ; Jakob Zawels, Auteur ; Fred D. Waldhauer, Auteur Editeur : London : Prentice-Hall Année de publication : 1955 Collection : Prentice-Hall electrical engineering series Importance : XII,521 p. Présentation : ill. Format : 22 cm Note générale : Notes bibliogr. - Index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Transistors
Électronique -- Matériaux
SemiconducteursIndex. décimale : 621.382.3 Transistors Note de contenu : Summary :
1. Physical concepts.
2. Characteristics, parameters, equivalent circuits.
3. Basic amplifier configurations.
4. Direct-current bias circuits.
5. Low-frequency amplifiers.
...Transistor electronics [texte imprimé] / Arthur W. Lo, Auteur ; Richard O. Endres, Auteur ; Jakob Zawels, Auteur ; Fred D. Waldhauer, Auteur . - London : Prentice-Hall, 1955 . - XII,521 p. : ill. ; 22 cm. - (Prentice-Hall electrical engineering series) .
Notes bibliogr. - Index
Langues : Anglais (eng)
Mots-clés : Transistors
Électronique -- Matériaux
SemiconducteursIndex. décimale : 621.382.3 Transistors Note de contenu : Summary :
1. Physical concepts.
2. Characteristics, parameters, equivalent circuits.
3. Basic amplifier configurations.
4. Direct-current bias circuits.
5. Low-frequency amplifiers.
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Etat_Exemplaire 003819(2) 621.382.3 TRA Papier Bibliothèque Annexe Electronique Disponible Consultation sur place 003819(1) 621.382.3 TRA Papier Bibliothèque Annexe Electronique Disponible En bon état
Titre : Transistors à effet de champ Type de document : texte imprimé Auteurs : Jacques Fagot, Auteur ; École supérieure d'électricité, Éditeur scientifique ; Société française des électriciens, Éditeur scientifique Editeur : Paris : École supérieure d'électricité Année de publication : 1967 Importance : 25 p. Présentation : ill. Format : 27 cm Note générale : Université de Paris. Société française des électriciens. Ecole supérieure d'électricité. Division radioélectricité et électronique. - N° 3036. - Bibliogr. p. 25 Mots-clés : Transistors à effet de champ Index. décimale : 621.382.3 Transistors Résumé : Note de contenu : Au sommaire :
1. Aspect physique
2. Courbes caractéristiques des éléments à effet de champ
3. Symétrie des courbes caractéristiques
4. Loi du courant dans la zone de saturation
5. Paramètres "petits signaux" et schémas équivalents (fréquence basse)
6. Bruit basse-fréquence
7. Effets de haute fréquence
8. Utilisation en commutationTransistors à effet de champ [texte imprimé] / Jacques Fagot, Auteur ; École supérieure d'électricité, Éditeur scientifique ; Société française des électriciens, Éditeur scientifique . - Paris : École supérieure d'électricité, 1967 . - 25 p. : ill. ; 27 cm.
Université de Paris. Société française des électriciens. Ecole supérieure d'électricité. Division radioélectricité et électronique. - N° 3036. - Bibliogr. p. 25
Mots-clés : Transistors à effet de champ Index. décimale : 621.382.3 Transistors Résumé : Note de contenu : Au sommaire :
1. Aspect physique
2. Courbes caractéristiques des éléments à effet de champ
3. Symétrie des courbes caractéristiques
4. Loi du courant dans la zone de saturation
5. Paramètres "petits signaux" et schémas équivalents (fréquence basse)
6. Bruit basse-fréquence
7. Effets de haute fréquence
8. Utilisation en commutationRéservation
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