| Titre : | Characterization of semiconductor materials |
| Auteurs : | Philip F. Kane, Auteur ; Graydon B. Larrabee, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | New York : McGraw-Hill, 1970 |
| Collection : | Texas instruments electronics series |
| Format : | XVI, 351 p. / ill. / 26 cm |
| Note générale : | Bibliogr. p. 331-333. - Index |
| Langues : | Anglais |
| Index. décimale : | 621.382 (Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs ) |
| Tags : | Semiconducteurs |
| Note de contenu : |
Summary :
1. Introduction. 2. Semiconductor principles. 3. Bulk-material characterization. 4. Materials characterization in single-crystal grawth. 5. Analysis of signle crystals for chemical imperfections. 6. Characterization of signle crystals for physical imperfections. 7. Caracterization of semiconductor surfaces. 8. Characterization of epitaxial films. 9. Diffusion. 10. Characterization of thin films. |
Exemplaires (1)
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité | Etat_Exemplaire |
|---|---|---|---|---|---|
| 621.382 KAN | Papier | Bibliothèque Centrale | Electronique | Disponible | Consultation sur place |
