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Auteur Pucknell , Douglas A.
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Faire une suggestion Affiner la rechercheBasic VLSI design / Pucknell , Douglas A.
Titre : Basic VLSI design Type de document : texte imprimé Auteurs : Pucknell , Douglas A., Auteur ; Eshraghian , Kamran, Auteur Editeur : London : Prentice-Hall Année de publication : 1994 Importance : XXI-495 p Présentation : ill Format : 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 0-13-079153-9 Langues : Français (fre) Mots-clés : VLSI
Circuits intégrés à très grande échelle -- Conception et constructionIndex. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : The third edition of this best-selling text has been broadened to cover BiCMOS in addition to nMOS, CMOS and GaAs Technologies. The treatment of BiCMOS is integrated with CMOS, n-well technology and design rules are presented in a progressive manner, building up from Lambda based nMOS rules through CMOS to "Real World" 2 micron BiCMOS and 1.2 micron CMOS Rule Sets.
Note de contenu : Table des matières
1. A Review of Microelectronics and an Introduction to MOS Technology.
2. Basic Electrical Properties of MOS and BiCMOS circuit Design Processes.
3. MOS and BiCMOS Circuit Design Processes.
4. Basic circuit concepts.
5. Scaling of MOS circuits.
6. Subsystem design and layout.
7. Subsystem design processes.
8. Illustration of the design process—computational elements.
9. Memory, registers and aspects of system timing.
10. Practical aspects and testability.
11. Some CMOS design projects.
12. Ultra fast VLSI circuits and systems—introduction to GsAs technology.
Appendix 1: Orbit 2 micron process parameters.
Appendix 2: Orbit 1.2 micron design rules and parameters.
ISBN 13 : 978-0130791535 Basic VLSI design [texte imprimé] / Pucknell , Douglas A., Auteur ; Eshraghian , Kamran, Auteur . - London : Prentice-Hall, 1994 . - XXI-495 p : ill ; 24 cm.
ISBN : 0-13-079153-9
Langues : Français (fre)
Mots-clés : VLSI
Circuits intégrés à très grande échelle -- Conception et constructionIndex. décimale : 621.382 Dispositifs électroniques utilisant les effets des corps solides. Dispositifs semi-conducteurs Résumé : The third edition of this best-selling text has been broadened to cover BiCMOS in addition to nMOS, CMOS and GaAs Technologies. The treatment of BiCMOS is integrated with CMOS, n-well technology and design rules are presented in a progressive manner, building up from Lambda based nMOS rules through CMOS to "Real World" 2 micron BiCMOS and 1.2 micron CMOS Rule Sets.
Note de contenu : Table des matières
1. A Review of Microelectronics and an Introduction to MOS Technology.
2. Basic Electrical Properties of MOS and BiCMOS circuit Design Processes.
3. MOS and BiCMOS Circuit Design Processes.
4. Basic circuit concepts.
5. Scaling of MOS circuits.
6. Subsystem design and layout.
7. Subsystem design processes.
8. Illustration of the design process—computational elements.
9. Memory, registers and aspects of system timing.
10. Practical aspects and testability.
11. Some CMOS design projects.
12. Ultra fast VLSI circuits and systems—introduction to GsAs technology.
Appendix 1: Orbit 2 micron process parameters.
Appendix 2: Orbit 1.2 micron design rules and parameters.
ISBN 13 : 978-0130791535 Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Etat_Exemplaire 044453 621.382 PUC Papier Bibliothèque Centrale Electronique Disponible
