| Titre : | Électronique du silicium homogène |
| Titre de série : | Physique des dispositifs à semiconducteurs, Tome 1 |
| Auteurs : | André (1933-) Vapaille, Auteur ; G. Dumas, Préfacier, etc. |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Paris : Masson, 1970 |
| Collection : | Monographies d'électronique |
| Format : | X, 339 p. / ill. / 24 cm |
| Note générale : | Bibliogr. en fin de chapitre. Index |
| Langues : | Français |
| Index. décimale : | 621.315.59 (Conducteurs à très haute résistance. Semi-conducteurs ) |
| Tags : | Semiconductors Semiconducteurs Silicium |
| Résumé : | |
| Note de contenu : |
Sommaire : 1. Le cristal de silicium 2. Bandes d'énergie du cristal parfait 3. Niveaux d'énergie introduit par les imperfection du cristal 4. Peuplement des niveaux d'énergie à l'équilibre thermique 5. Phénomènes de transport 6. Effets galvanomagnétique et thermomagnétique 7. Porteurs en excès : création-recombinaison 8. Équation de continuité. Résolution dans quelques cas pratiques |
Exemplaires (3)
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité | Etat_Exemplaire |
|---|---|---|---|---|---|
| 621.315.59 VAP | Papier | Bibliothèque Annexe | Electronique | Disponible | En bon état |
| 621.315.59 VAP | Papier | Bibliothèque Annexe | Electronique | Disponible | En bon état |
| 621.315.59 VAP | Papier | Bibliothèque Centrale | Electronique | Disponible | Consultation sur place |
